硅(gui)-藍輝(hui)(hui)石(shi)由單晶硅(gui)隔熱(re)性(xing)體(ti)成(cheng)分分為，不(bu)能進行遲緩、疲乏和(he)熱(re)變(bian)形原(yuan)因(yin)；藍輝(hui)(hui)石(shi)發揮著(zhu)相對好的(de)延展能力和(he)隔熱(re)性(xing)基本(ben)特(te)質（1000℃球以內），對溫差轉(zhuan)(zhuan)化不(bu)太(tai)敏感(gan)性(xing)度，即便 在持續(xu)高溫先決條(tiao)件(jian)下，也發揮著(zhu)良好的(de)運(yun)轉(zhuan)(zhuan)基本(ben)特(te)質；藍輝(hui)(hui)石(shi)的(de)抗福射基本(ben)特(te)質較弱；另一個，硅(gui)-藍輝(hui)(hui)石(shi)半導體(ti)設備太(tai)敏感(gan)性(xing)度電子器件(jian)，無p-n漂移，因(yin)，可軟件(jian)于各式(shi)各樣僵化壞境環境。感(gan)測器器由雙膜(mo)(mo)(mo)片(pian)(pian)(pian)組合而成(cheng)：鈦(tai)金(jin)屬(shu)量測方法膜(mo)(mo)(mo)片(pian)(pian)(pian)和(he)鈦(tai)金(jin)屬(shu)考慮膜(mo)(mo)(mo)片(pian)(pian)(pian)。打印有異(yi)質外延性(xing)性(xing)應變(bian)力靈巧(qiao)電橋(qiao)集(ji)成(cheng)運(yun)放(fang)的(de)藍輝(hui)(hui)石(shi)膜(mo)(mo)(mo)片(pian)(pian)(pian)，被(bei)熔焊在鈦(tai)金(jin)屬(shu)量測方法膜(mo)(mo)(mo)片(pian)(pian)(pian)上。被(bei)測負(fu)荷(he)(he)差差傳(chuan)遞到考慮膜(mo)(mo)(mo)片(pian)(pian)(pian)上。在負(fu)荷(he)(he)差差的(de)做(zuo)用下，鈦(tai)金(jin)屬(shu)考慮膜(mo)(mo)(mo)片(pian)(pian)(pian)制造彎曲(qu)，該彎曲(qu)被(bei)硅(gui)-藍輝(hui)(hui)石(shi)太(tai)敏感(gan)性(xing)度電子器件(jian)情緒識(shi)別后(hou)，其電橋(qiao)傳(chuan)輸(shu)會(hui)進行轉(zhuan)(zhuan)化，轉(zhuan)(zhuan)化的(de)震幅(fu)與(yu)被(bei)測負(fu)荷(he)(he)差差正相關。電橋(qiao)集(ji)成(cheng)運(yun)放(fang)將電橋(qiao)的(de)比(bi)例失調數字數字信(xin)號，轉(zhuan)(zhuan)成(cheng)為電流值數字數字信(xin)號傳(chuan)輸(shu)。